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集成电路布图设计专有权公告(2018年9月12日)
集成电路布图设计专有权公告(2018年9月12日)
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2018-09-12 14:34:00
来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
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概述
布图设计登记号:BS.175536368 布图设计申请日:2017年11月2日 公告日期:2018年9月12日 公告号:16698 布图设计名称:基于P2P协议的高速发送接口IP核 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他 布图设计权利人:李斌 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区益州大道中段18…
布图设计登记号:BS.175536368
- 布图设计申请日
- 2017年11月2日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16698
- 布图设计名称
- 基于P2P协议的高速发送接口IP核
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他
- 布图设计权利人
- 李斌 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 四川省成都市成都高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作人
- 成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2016年9月14日
布图设计登记号:BS.175539308
- 布图设计申请日
- 2017年12月4日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16699
- 布图设计名称
- 电源调制接收电路IP核
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他
- 布图设计权利人
- 成都纳能微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作人
- 成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2016年12月6日
布图设计登记号:BS.175539340
- 布图设计申请日
- 2017年12月4日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16700
- 布图设计名称
- USB2.0 无晶振PHY IP核
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-微型计算机-其他
- 布图设计权利人
- 成都纳能微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作人
- 成都纳能微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2016年10月4日
布图设计登记号:BS.175009538
- 布图设计申请日
- 2017年10月17日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16701
- 布图设计名称
- GD32F303XX GD32F305XX GD32F307XX GD32F403XX
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 北京兆易创新科技股份有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
- 布图设计创作人
- 于明、杜兴兴、于彩灯、黄雪晴、段海洁
- 代理机构
- 北京品源专利代理有限公司
- 代理人
- 胡彬
- 布图设计创作完成日
- 2016年9月27日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年2月1日
布图设计登记号:BS.175537097
- 布图设计申请日
- 2017年11月14日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16702
- 布图设计名称
- ADC_DAC转换电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2017年1月16日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年8月28日
布图设计登记号:BS.175537100
- 布图设计申请日
- 2017年11月14日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16703
- 布图设计名称
- 外置电阻设置输出电流的LED恒流驱动电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2016年7月19日
- 布图设计首次商业利用日
- 2016年10月9日
布图设计登记号:BS.175537135
- 布图设计申请日
- 2017年11月14日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16704
- 布图设计名称
- 低压编解码电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2017年4月1日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年9月16日
布图设计登记号:BS.175537178
- 布图设计申请日
- 2017年11月14日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16705
- 布图设计名称
- 通过电源线接收数据的LED恒流驱动电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2017年8月11日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年10月23日
布图设计登记号:BS.175537186
- 布图设计申请日
- 2017年11月14日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16706
- 布图设计名称
- 频率发生器电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2017年6月14日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年10月23日
布图设计登记号:BS.175537348
- 布图设计申请日
- 2017年11月15日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16707
- 布图设计名称
- 高灰度大电流输出的LED恒流驱动电路
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
- 布图设计创作人
- 无锡德芯微电子有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2017年6月16日
- 布图设计首次商业利用日
- 2017年9月18日
布图设计登记号:BS.175009570
- 布图设计申请日
- 2017年10月17日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16708
- 布图设计名称
- MOSFET 1N65 Drive MOS
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 上海市浦东新区盛夏路560号607室
- 布图设计创作人
- 王凡
- 代理机构
- 上海光华专利事务所(普通合伙)
- 代理人
- 余明伟
- 布图设计创作完成日
- 2015年1月1日
布图设计登记号:BS.175009589
- 布图设计申请日
- 2017年10月17日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16709
- 布图设计名称
- MOSFET 4N65
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 上海市浦东新区盛夏路560号607室
- 布图设计创作人
- 王凡
- 代理机构
- 上海光华专利事务所(普通合伙)
- 代理人
- 余明伟
- 布图设计创作完成日
- 2015年1月1日
布图设计登记号:BS.175009597
- 布图设计申请日
- 2017年10月17日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16710
- 布图设计名称
- MOSFET 2N60
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 上海市浦东新区盛夏路560号607室
- 布图设计创作人
- 王凡
- 代理机构
- 上海光华专利事务所(普通合伙)
- 代理人
- 余明伟
- 布图设计创作完成日
- 2015年1月1日
布图设计登记号:BS.175009600
- 布图设计申请日
- 2017年10月17日
- 公告日期
- 2018年9月12日
- 公告号
- 16711
- 布图设计名称
- MOSFET 1N65
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 上海市浦东新区盛夏路560号607室
- 布图设计创作人
- 王凡
- 代理机构
- 上海光华专利事务所(普通合伙)
- 代理人
- 余明伟
- 布图设计创作完成日
- 2015年1月1日