集成电路布图设计专有权公告(2018年9月12日)

阅读:129056 2018-09-12 14:34:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.175536368 布图设计申请日:2017年11月2日 公告日期:2018年9月12日 公告号:16698 布图设计名称:基于P2P协议的高速发送接口IP核 布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他 布图设计权利人:李斌 布图设计权利人国籍:中国 布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区益州大道中段18…

布图设计登记号:BS.175536368

布图设计申请日
2017年11月2日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16698
布图设计名称
基于P2P协议的高速发送接口IP核
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他
布图设计权利人
李斌 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
四川省成都市成都高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人
成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年9月14日

布图设计登记号:BS.175539308

布图设计申请日
2017年12月4日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16699
布图设计名称
电源调制接收电路IP核
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-其他
布图设计权利人
成都纳能微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人
成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年12月6日

布图设计登记号:BS.175539340

布图设计申请日
2017年12月4日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16700
布图设计名称
USB2.0 无晶振PHY IP核
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑-存储-微型计算机-其他
布图设计权利人
成都纳能微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
四川省成都市高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
布图设计创作人
成都纳能微电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年10月4日

布图设计登记号:BS.175009538

布图设计申请日
2017年10月17日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16701
布图设计名称
GD32F303XX GD32F305XX GD32F307XX GD32F403XX
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
北京兆易创新科技股份有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
布图设计创作人
于明、杜兴兴、于彩灯、黄雪晴、段海洁
代理机构
北京品源专利代理有限公司
代理人
胡彬
布图设计创作完成日
2016年9月27日
布图设计首次商业利用日
2017年2月1日

布图设计登记号:BS.175537097

布图设计申请日
2017年11月14日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16702
布图设计名称
ADC_DAC转换电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2017年1月16日
布图设计首次商业利用日
2017年8月28日

布图设计登记号:BS.175537100

布图设计申请日
2017年11月14日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16703
布图设计名称
外置电阻设置输出电流的LED恒流驱动电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2016年7月19日
布图设计首次商业利用日
2016年10月9日

布图设计登记号:BS.175537135

布图设计申请日
2017年11月14日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16704
布图设计名称
低压编解码电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2017年4月1日
布图设计首次商业利用日
2017年9月16日

布图设计登记号:BS.175537178

布图设计申请日
2017年11月14日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16705
布图设计名称
通过电源线接收数据的LED恒流驱动电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2017年8月11日
布图设计首次商业利用日
2017年10月23日

布图设计登记号:BS.175537186

布图设计申请日
2017年11月14日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16706
布图设计名称
频率发生器电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2017年6月14日
布图设计首次商业利用日
2017年10月23日

布图设计登记号:BS.175537348

布图设计申请日
2017年11月15日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16707
布图设计名称
高灰度大电流输出的LED恒流驱动电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
无锡德芯微电子有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
江苏省无锡市蠡园开发区A2楼3层
布图设计创作人
无锡德芯微电子有限公司
布图设计创作完成日
2017年6月16日
布图设计首次商业利用日
2017年9月18日

布图设计登记号:BS.175009570

布图设计申请日
2017年10月17日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16708
布图设计名称
MOSFET 1N65 Drive MOS
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人
王凡
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2015年1月1日

布图设计登记号:BS.175009589

布图设计申请日
2017年10月17日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16709
布图设计名称
MOSFET 4N65
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人
王凡
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2015年1月1日

布图设计登记号:BS.175009597

布图设计申请日
2017年10月17日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16710
布图设计名称
MOSFET 2N60
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人
王凡
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2015年1月1日

布图设计登记号:BS.175009600

布图设计申请日
2017年10月17日
公告日期
2018年9月12日
公告号
16711
布图设计名称
MOSFET 1N65
布图设计类别
结构:MOS 技术:NMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海宝芯源功率半导体有限公司 布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人
王凡
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2015年1月1日
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