集成电路布图设计专有权公告(2010年6月9日)

阅读:116444 2010-06-09 09:11:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.095008152布图设计申请日:2009年12月28日公告日期:2010年06月09日公告号:3015布图设计名称:基于0.18μm工艺的高速比较器电路版图布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:中国科学院半导体研究所布图设计权利人国籍/省市:北京 布图设计权利人地址:中国北京市海淀区清华东路甲35…

布图设计登记号:BS.095008152

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3015
布图设计名称
基于0.18μm工艺的高速比较器电路版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
倪卫宁、刘斯琳
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2009年04月20日

布图设计登记号:BS.095008160

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3016
布图设计名称
基于0.18μm工艺的CML逻辑直接数字频率合成器设计版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
倪卫宁、张强
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2009年02月10日

布图设计登记号:BS.095008179

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3017
布图设计名称
基于0.18μm工艺的倍频电路版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
倪卫宁
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2009年04月20日

布图设计登记号:BS.095008233

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3018
布图设计名称
神经信号检测前端芯片版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
陈弘达、张旭
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2009年03月30日

布图设计登记号:BS.09500825X

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3019
布图设计名称
微功耗全极型霍尔集成电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
易良盛科技(天津)有限公司
布图设计权利人国籍/省市
天津
布图设计权利人地址
天津开发区第四大街80号天大科技园A1座2层
布图设计创作人
夏增浪
布图设计创作完成日
2009年02月01日
布图设计首次商业利用日
2009年08月10日

布图设计登记号:BS.095008268

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3020
布图设计名称
单极型霍尔集成电路
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:TTL 功能:其他
布图设计权利人
易良盛科技(天津)有限公司
布图设计权利人国籍/省市
天津
布图设计权利人地址
天津开发区第四大街80号天大科技园A1座2层
布图设计创作人
夏增浪
布图设计创作完成日
2009年03月10日
布图设计首次商业利用日
2009年09月01日

布图设计登记号:BS.095008411

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3021
布图设计名称
LC2113同步电压模式PWM/PFM降压DC-DC转换器
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
周伟雄、张翌、沈琳琳、代雪松、顾晶
布图设计创作完成日
2008年01月20日
布图设计首次商业利用日
2008年11月01日

布图设计登记号:BS.095008438

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3022
布图设计名称
LC6000线性锂电池充电管理电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
周伟雄、戴麒、汪义、陆晓敏、顾鹏程
布图设计创作完成日
2008年11月06日
布图设计首次商业利用日
2008年12月03日

布图设计登记号:BS.095008446

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3023
布图设计名称
BL851240V PWM/PFM降压DC-DC控制器
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
李锐、张征、王玮、曹晓蕾、张约翰
布图设计创作完成日
2008年01月20日
布图设计首次商业利用日
2008年06月10日

布图设计登记号:BS.095008497

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3024
布图设计名称
LC2315开关型电压降压电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
王强、曾蕴浩、吴丽丽、王平、周文佳
布图设计创作完成日
2008年04月07日
布图设计首次商业利用日
2008年08月01日

布图设计登记号:BS.095008500

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3025
布图设计名称
LC3300开关型电压升压电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
王强、蔡敏、杨小荣、胡峻华、蒋轶璇
布图设计创作完成日
2008年07月17日
布图设计首次商业利用日
2008年10月01日

布图设计登记号:BS.095008519

布图设计申请日
2009年12月17日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3026
布图设计名称
LC1466线性稳压器电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海岭芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海市宜山路810号1号楼4楼
布图设计创作人
刘华、胡舜涛、江浩波、张宏林、邵蕴奇
布图设计创作完成日
2009年08月30日
布图设计首次商业利用日
2009年09月10日

布图设计登记号:BS.095008764

布图设计申请日
2009年11月02日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3027
布图设计名称
RA0108C
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳市锐能微科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市
深圳
布图设计权利人地址
深圳市南山区南商路97号华英大厦A201室
布图设计创作人
张凡元、许志玲
布图设计创作完成日
2009年04月23日
布图设计首次商业利用日
2009年08月01日

布图设计登记号:BS.095008772

布图设计申请日
2009年11月02日
公告日期
2010年06月09日
公告号
3028
布图设计名称
RA0802
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳市锐能微科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市
深圳
布图设计权利人地址
深圳市南山区南商路97号华英大厦A201室
布图设计创作人
张凡元、许志玲
布图设计创作完成日
2009年04月23日
布图设计首次商业利用日
2009年08月01日
本文《集成电路布图设计专有权公告(2010年6月9日)》发表链接: https://www.yingwu.net/news/4088.html
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