集成电路布图设计专有权公告(2010年6月2日)

阅读:137849 2010-06-02 14:06:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.095006885布图设计申请日:2009年11月17日公告日期:2010年06月02日公告号:2999布图设计名称:JSTAH6801布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:微型计算机 布图设计权利人:深圳市晶盛科技有限公司布图设计权利人国籍/省市:广州 布图设计权利人地址:深圳市福田区华发北路赛格科技园2栋东9E布图设…

布图设计登记号:BS.095006885

布图设计申请日
2009年11月17日
公告日期
2010年06月02日
公告号
2999
布图设计名称
JSTAH6801
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:微型计算机
布图设计权利人
深圳市晶盛科技有限公司
布图设计权利人国籍/省市
广州
布图设计权利人地址
深圳市福田区华发北路赛格科技园2栋东9E
布图设计创作人
深圳市晶盛科技有限公司
布图设计创作完成日
2009年02月11日
布图设计首次商业利用日
2009年10月18日

布图设计登记号:BS.095007318

布图设计申请日
2009年11月06日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3000
布图设计名称
VSIMMCS1305
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海浦东新区张衡路200号1号楼
布图设计创作人
芯原微电子(上海)有限公司
代理机构
上海光华专利事务所
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2008年11月09日
布图设计首次商业利用日
2009年03月10日

布图设计登记号:BS.095007326

布图设计申请日
2009年11月06日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3001
布图设计名称
VSIADS1308
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
上海浦东新区张衡路200号1号楼
布图设计创作人
芯原微电子(上海)有限公司
代理机构
上海光华专利事务所
代理人
余明伟
布图设计创作完成日
2008年12月10日
布图设计首次商业利用日
2009年02月28日

布图设计登记号:BS.095007458

布图设计申请日
2009年09月17日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3002
布图设计名称
SP3777/SP3769单芯片立体声调频接收电路
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
无锡硅动力微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍/省市
江苏
布图设计权利人地址
江苏省无锡市新区珠江路51号
布图设计创作人
周金凤、张瑰艳、周烨、胡斌
代理机构
无锡市大为专利商标事务所
代理人
曹祖良
布图设计创作完成日
2008年10月10日
布图设计首次商业利用日
2009年02月10日

布图设计登记号:BS.095007725

布图设计申请日
2009年12月02日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3003
布图设计名称
高精度低漂移集成电压基准源ISMR025
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:TTL 功能:线性
布图设计权利人
贵州大学
布图设计权利人国籍/省市
贵州
布图设计权利人地址
贵州省贵阳市花溪区花溪大道南段
布图设计创作人
杨发顺、刘桥
代理机构
贵阳中新专利商标事务所
代理人
吴无惧
布图设计创作完成日
2009年09月10日

布图设计登记号:BS.095007733

布图设计申请日
2009年12月02日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3004
布图设计名称
二端恒流源(N沟道PNP管)
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
贵州大学
布图设计权利人国籍/省市
贵州
布图设计权利人地址
贵州省贵阳市花溪区花溪大道南段
布图设计创作人
杨发顺、刘桥
代理机构
贵阳中新专利商标事务所
代理人
吴无惧
布图设计创作完成日
2009年03月15日

布图设计登记号:BS.095007741

布图设计申请日
2009年12月02日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3005
布图设计名称
二端恒流源(N沟道PNP管)
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
贵州大学
布图设计权利人国籍/省市
贵州
布图设计权利人地址
贵州省贵阳市花溪区花溪大道南段
布图设计创作人
杨发顺、刘桥
代理机构
贵阳中新专利商标事务所
代理人
吴无惧
布图设计创作完成日
2009年02月15日

布图设计登记号:BS.09500775X

布图设计申请日
2009年12月02日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3006
布图设计名称
二端恒流源2DHM01-10
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
贵州大学
布图设计权利人国籍/省市
贵州
布图设计权利人地址
贵州省贵阳市花溪区花溪大道南段
布图设计创作人
杨发顺、刘桥
代理机构
贵阳中新专利商标事务所
代理人
吴无惧
布图设计创作完成日
2009年08月10日

布图设计登记号:BS.095007768

布图设计申请日
2009年12月02日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3007
布图设计名称
二端恒流源(P沟道NPN管)
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
贵州大学
布图设计权利人国籍/省市
贵州
布图设计权利人地址
贵州省贵阳市花溪区花溪大道南段
布图设计创作人
杨发顺、刘桥
代理机构
贵阳中新专利商标事务所
代理人
吴无惧
布图设计创作完成日
2009年03月15日

布图设计登记号:BS.095008047

布图设计申请日
2009年12月23日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3008
布图设计名称
BG0323_PIXEL
布图设计类别
结构:Optical-IC 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
昆山锐芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
布图设计创作人
罗文哲
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李丽
布图设计创作完成日
2009年06月17日

布图设计登记号:BS.095008055

布图设计申请日
2009年12月23日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3009
布图设计名称
BG0323
布图设计类别
结构:Optical-IC 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
昆山锐芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
布图设计创作人
罗文哲
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李丽
布图设计创作完成日
2009年06月17日

布图设计登记号:BS.095008063

布图设计申请日
2009年12月23日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3010
布图设计名称
BG0328_PIXEL
布图设计类别
结构:Optical-IC 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
昆山锐芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
布图设计创作人
罗文哲
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李丽
布图设计创作完成日
2009年10月28日

布图设计登记号:BS.095008071

布图设计申请日
2009年12月23日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3011
布图设计名称
BG0328
布图设计类别
结构:Optical-IC 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
昆山锐芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
上海
布图设计权利人地址
昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
布图设计创作人
罗文哲
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李丽
布图设计创作完成日
2009年10月28日

布图设计登记号:BS.09500808X

布图设计申请日
2009年12月23日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3012
布图设计名称
BG0350
布图设计类别
结构:Optical-IC 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
天津市晶奇微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
天津
布图设计权利人地址
天津市西青区华苑产业区海泰发展6道6号G座920室
布图设计创作人
晶奇微电子有限公司
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李丽
布图设计创作完成日
2009年02月27日

布图设计登记号:BS.095008136

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3013
布图设计名称
基于0.18μm工艺的高效率基准源电路设计版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
倪卫宁、石寅
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2009年05月08日

布图设计登记号:BS.095008144

布图设计申请日
2009年12月28日
公告日期
2010年06月02日
公告号
3014
布图设计名称
基于0.18μm工艺的高速直接数字频率合成器设计版图
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
中国科学院半导体研究所
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
中国北京市海淀区清华东路甲35号
布图设计创作人
倪卫宁、于雪峰
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
王玮
布图设计创作完成日
2008年09月30日
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