集成电路布图设计专有权公告(2015年10月21日)

阅读:74309 2015-10-21 09:36:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.155005065布图设计申请日:2015年6月6日公告日期:2015年10月21日公告号:11058布图设计名称:NC13XXC-203型GaAs电调衰减器芯片布图设计类别: 结构:其他 技术:其他 功能:其他布图设计权利人:中国电子科技集团公司第十三研究所布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:河北省石家庄市新华区合作路113…

布图设计登记号:BS.155005065

布图设计申请日
2015年6月6日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11058
布图设计名称
NC13XXC-203型GaAs电调衰减器芯片
布图设计类别
结构:其他 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
中国电子科技集团公司第十三研究所布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
河北省石家庄市新华区合作路113号
布图设计创作人
许刚
代理机构
石家庄国为知识产权事务所
代理人
米文智
布图设计创作完成日
2013年11月20日

布图设计登记号:BS.155005219

布图设计申请日
2015年6月5日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11059
布图设计名称
Hoberla ABF 110
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
云南磊奥明科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
云南省昆明市五华区东风西路13号顺城双塔写字楼西塔2201室
布图设计创作人
云南磊奥明科技有限公司
代理机构
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人
吴开磊
布图设计创作完成日
2014年12月20日

布图设计登记号:BS.155005324

布图设计申请日
2015年6月12日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11060
布图设计名称
一种高速灵敏放大电路版图FSA2
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
宁波大学布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学
布图设计创作人
曹妙
布图设计创作完成日
2015年6月5日

布图设计登记号:BS.15500462X

布图设计申请日
2015年5月25日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11061
布图设计名称
高速接口信号转换LT1405
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳朗田亩半导体科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区朗山二路7号富裕顶大厦412室
布图设计创作人
李广仁、张美玲、李丽、郭文武、刘清卫
布图设计创作完成日
2014年8月8日

布图设计登记号:BS.155004638

布图设计申请日
2015年5月25日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11062
布图设计名称
高速接口多信号切换LT1406
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
深圳朗田亩半导体科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
广东省深圳市南山区朗山二路7号富裕顶大厦412室
布图设计创作人
张美玲、刘清卫、李丽、郭文武、李广仁
布图设计创作完成日
2014年9月4日

布图设计登记号:BS.155002848

布图设计申请日
2015年4月11日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11063
布图设计名称
JXAD0101A 高速高精度模数转换器电路
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
湖南进芯电子科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
湖南省长沙市岳麓区高新开发区尖山路39号长沙中电软件园A1304
布图设计权利人
黄嵩人布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
湖南省长沙市岳麓区高新开发区尖山路39号长沙中电软件园A1304
布图设计权利人
陈迪平布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
湖南省长沙市岳麓区高新开发区麓山南路2号
布图设计创作人
黄嵩人、陈迪平
布图设计创作完成日
2015年3月20日

布图设计登记号:BS.15500512X

布图设计申请日
2015年6月11日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11064
布图设计名称
BP9112B
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
上海晶丰明源半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人
赵艳群、唐海霞、高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日
2015年3月8日
布图设计首次商业利用日
2015年5月26日

布图设计登记号:BS.155005162

布图设计申请日
2015年6月11日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11065
布图设计名称
BP9912B/BP9913B/BP9918B
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海晶丰明源半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人
赵艳群、唐海霞、高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日
2014年12月29日
布图设计首次商业利用日
2015年3月22日

布图设计登记号:BS.155005170

布图设计申请日
2015年6月11日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11066
布图设计名称
BP9912C/BP9913C/BP9918C
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海晶丰明源半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人
赵艳群、唐海霞、高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日
2014年12月29日
布图设计首次商业利用日
2015年3月22日

布图设计登记号:BS.155005197

布图设计申请日
2015年6月11日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11067
布图设计名称
BP2831AJ/BP2832AJ/BP2865C/BP2865E
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
上海晶丰明源半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人
唐海霞、赵艳群、高志勇、于得水、胡黎强
布图设计创作完成日
2014年12月17日
布图设计首次商业利用日
2015年4月24日

布图设计登记号:BS.155004956

布图设计申请日
2015年6月1日
公告日期
2015年10月21日
公告号
11068
布图设计名称
GNC1000
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:ECL 功能:其他
布图设计权利人
武汉芯锐光通科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号
布图设计创作人
刘尚新、唐思敏、刘俊羽、曹博
布图设计创作完成日
2015年4月16日
本文《集成电路布图设计专有权公告(2015年10月21日)》发表链接: https://www.yingwu.net/news/4492.html
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