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集成电路布图设计专有权公告(2015年1月21日)
集成电路布图设计专有权公告(2015年1月21日)
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2015-01-21 15:04:00
来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
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概述
布图设计登记号:BS.145009335布图设计申请日:2014年9月18日公告日期:2015年1月21日公告号:10047布图设计名称:CCH477布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他布图设计权利人:成都芯进电子有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:四川省成都市金牛高科技产业园兴盛西路2号青年(大学生)创业园3楼306室…
布图设计登记号:BS.145009335
- 布图设计申请日
- 2014年9月18日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10047
- 布图设计名称
- CCH477
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 成都芯进电子有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 四川省成都市金牛高科技产业园兴盛西路2号青年(大学生)创业园3楼306室
- 布图设计创作人
- 曾珂
- 代理机构
- 成都行之专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人
- 王记明
- 布图设计创作完成日
- 2013年10月18日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年4月16日
布图设计登记号:BS.145502201
- 布图设计申请日
- 2014年11月12日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10048
- 布图设计名称
- 天通导航基带处理芯片HC610
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 上海华力创通半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 上海市青浦区沪青平公路1362号1幢1层C区133室
- 布图设计创作人
- 上海华力创通半导体有限公司
- 代理机构
- 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人
- 成丽杰
- 布图设计创作完成日
- 2014年6月30日
布图设计登记号:BS.145502228
- 布图设计申请日
- 2014年11月14日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10049
- 布图设计名称
- KTC20080
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
- 布图设计权利人
- 昆腾微电子股份有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 北京市海淀区玉泉山路23号4号楼
- 布图设计创作人
- 齐燕、苏鹏、白蓉蓉、王晓轩、谭洪贺
- 布图设计创作完成日
- 2014年7月18日
布图设计登记号:BS.145007723
- 布图设计申请日
- 2014年8月20日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10050
- 布图设计名称
- WSI1002移动电源管理芯片
- 布图设计类别
- 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:线性
- 布图设计权利人
- 福建睿矽微电子科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
- 布图设计创作人
- 周媛媛、柯志斌、黄文灿、黄云洪、卓毅、林明星、林峰、叶松
- 代理机构
- 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人
- 陈智雄、黄秀婷
- 布图设计创作完成日
- 2013年8月30日
布图设计登记号:BS.145007731
- 布图设计申请日
- 2014年8月20日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10051
- 布图设计名称
- R10射频标签读卡芯片
- 布图设计类别
- 结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他
- 布图设计权利人
- 福建睿矽微电子科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
- 布图设计创作人
- 黄云洪、柯志斌、周媛媛、黄文灿、林峰、叶松、熊卫明
- 代理机构
- 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人
- 陈智雄、黄秀婷
- 布图设计创作完成日
- 2013年8月15日
布图设计登记号:BS.145008193
- 布图设计申请日
- 2014年9月1日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10052
- 布图设计名称
- 1Gb high bandwith DRAM(45nm)
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
- 布图设计权利人
- 西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼
- 布图设计创作人
- 西安华芯半导体有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2013年10月18日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年4月15日
布图设计登记号:BS.145008207
- 布图设计申请日
- 2014年9月1日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10053
- 布图设计名称
- 1Gb Combo DDRI DRAM(45nm)
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
- 布图设计权利人
- 西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
- 布图设计创作人
- 西安华芯半导体有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2013年9月14日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年8月4日
布图设计登记号:BS.145008215
- 布图设计申请日
- 2014年9月1日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10054
- 布图设计名称
- 1Gb Combo DDRII DRAM(45nm)
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
- 布图设计权利人
- 西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
- 布图设计创作人
- 西安华芯半导体有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2013年7月25日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年6月26日
布图设计登记号:BS.145008223
- 布图设计申请日
- 2014年9月1日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10055
- 布图设计名称
- 1Gb Combo DDRⅢ DRAM(45nm)
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
- 布图设计权利人
- 西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
- 布图设计创作人
- 西安华芯半导体有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2013年7月20日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年6月15日
布图设计登记号:BS.145008231
- 布图设计申请日
- 2014年9月1日
- 公告日期
- 2015年1月21日
- 公告号
- 10056
- 布图设计名称
- 1Gb Combo LPDDR DRAM(45nm)
- 布图设计类别
- 结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
- 布图设计权利人
- 西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
- 布图设计权利人地址
- 陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
- 布图设计创作人
- 西安华芯半导体有限公司
- 布图设计创作完成日
- 2013年8月10日
- 布图设计首次商业利用日
- 2014年8月15日