集成电路布图设计专有权公告(2015年1月21日)

阅读:51896 2015-01-21 15:04:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.145009335布图设计申请日:2014年9月18日公告日期:2015年1月21日公告号:10047布图设计名称:CCH477布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他布图设计权利人:成都芯进电子有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:四川省成都市金牛高科技产业园兴盛西路2号青年(大学生)创业园3楼306室…

布图设计登记号:BS.145009335

布图设计申请日
2014年9月18日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10047
布图设计名称
CCH477
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
成都芯进电子有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
四川省成都市金牛高科技产业园兴盛西路2号青年(大学生)创业园3楼306室
布图设计创作人
曾珂
代理机构
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人
王记明
布图设计创作完成日
2013年10月18日
布图设计首次商业利用日
2014年4月16日

布图设计登记号:BS.145502201

布图设计申请日
2014年11月12日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10048
布图设计名称
天通导航基带处理芯片HC610
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
上海华力创通半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
上海市青浦区沪青平公路1362号1幢1层C区133室
布图设计创作人
上海华力创通半导体有限公司
代理机构
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人
成丽杰
布图设计创作完成日
2014年6月30日

布图设计登记号:BS.145502228

布图设计申请日
2014年11月14日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10049
布图设计名称
KTC20080
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:逻辑
布图设计权利人
昆腾微电子股份有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
北京市海淀区玉泉山路23号4号楼
布图设计创作人
齐燕、苏鹏、白蓉蓉、王晓轩、谭洪贺
布图设计创作完成日
2014年7月18日

布图设计登记号:BS.145007723

布图设计申请日
2014年8月20日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10050
布图设计名称
WSI1002移动电源管理芯片
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:线性
布图设计权利人
福建睿矽微电子科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
布图设计创作人
周媛媛、柯志斌、黄文灿、黄云洪、卓毅、林明星、林峰、叶松
代理机构
福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
代理人
陈智雄、黄秀婷
布图设计创作完成日
2013年8月30日

布图设计登记号:BS.145007731

布图设计申请日
2014年8月20日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10051
布图设计名称
R10射频标签读卡芯片
布图设计类别
结构:Bi-MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
福建睿矽微电子科技有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区20号楼307室
布图设计创作人
黄云洪、柯志斌、周媛媛、黄文灿、林峰、叶松、熊卫明
代理机构
福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)
代理人
陈智雄、黄秀婷
布图设计创作完成日
2013年8月15日

布图设计登记号:BS.145008193

布图设计申请日
2014年9月1日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10052
布图设计名称
1Gb high bandwith DRAM(45nm)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
布图设计权利人
西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
陕西省西安市高新区高新六路38号A座4楼
布图设计创作人
西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日
2013年10月18日
布图设计首次商业利用日
2014年4月15日

布图设计登记号:BS.145008207

布图设计申请日
2014年9月1日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10053
布图设计名称
1Gb Combo DDRI DRAM(45nm)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
布图设计权利人
西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人
西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日
2013年9月14日
布图设计首次商业利用日
2014年8月4日

布图设计登记号:BS.145008215

布图设计申请日
2014年9月1日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10054
布图设计名称
1Gb Combo DDRII DRAM(45nm)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
布图设计权利人
西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人
西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日
2013年7月25日
布图设计首次商业利用日
2014年6月26日

布图设计登记号:BS.145008223

布图设计申请日
2014年9月1日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10055
布图设计名称
1Gb Combo DDRⅢ DRAM(45nm)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
布图设计权利人
西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人
西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日
2013年7月20日
布图设计首次商业利用日
2014年6月15日

布图设计登记号:BS.145008231

布图设计申请日
2014年9月1日
公告日期
2015年1月21日
公告号
10056
布图设计名称
1Gb Combo LPDDR DRAM(45nm)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:存储
布图设计权利人
西安华芯半导体有限公司布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址
陕西省西安市高新区六路38号A座4楼
布图设计创作人
西安华芯半导体有限公司
布图设计创作完成日
2013年8月10日
布图设计首次商业利用日
2014年8月15日
本文《集成电路布图设计专有权公告(2015年1月21日)》发表链接: https://www.yingwu.net/news/4446.html
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