集成电路布图设计专有权公告(2011年12月7日)

阅读:91413 2011-12-07 08:31:00 来源:国家知识产权局 作者:国家知识产权局
概述
布图设计登记号:BS.115007296布图设计申请日:2011年07月26日公告日期:2011年12月7日公告号:4988布图设计名称:HZG09V5布图设计类别: 结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他 布图设计权利人:杭州中科微电子有限公司布图设计权利人国籍/省市:浙江 布图设计权利人地址:浙江省杭州滨江区江南大道3850号创新大厦10楼布图设计创…

布图设计登记号:BS.115007296

布图设计申请日
2011年07月26日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4988
布图设计名称
HZG09V5
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
杭州中科微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
浙江
布图设计权利人地址
浙江省杭州滨江区江南大道3850号创新大厦10楼
布图设计创作人
陈妙萍
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司
代理人
杜军
布图设计创作完成日
2010年06月28日

布图设计登记号:BS.115007369

布图设计申请日
2011年07月29日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4989
布图设计名称
开关型降压稳压器
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
无锡禾芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
江苏
布图设计权利人地址
江苏省无锡市新区长江路21号D座201室
布图设计创作人
无锡禾芯微电子有限公司
代理机构
无锡华源专利事务所
代理人
聂汉钦
布图设计创作完成日
2011年05月05日
布图设计首次商业利用日
2011年06月25日

布图设计登记号:BS.115007377

布图设计申请日
2011年07月29日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4990
布图设计名称
多路集成稳压器
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
无锡禾芯微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
江苏
布图设计权利人地址
江苏省无锡市新区长江路21号D座201室
布图设计创作人
无锡禾芯微电子有限公司
代理机构
无锡华源专利事务所
代理人
聂汉钦
布图设计创作完成日
2011年05月05日
布图设计首次商业利用日
2011年06月25日

布图设计登记号:BS.115007482

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4991
布图设计名称
ADLD8404
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:线性
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2010年08月26日
布图设计首次商业利用日
2011年01月24日

布图设计登记号:BS.115007490

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4992
布图设计名称
AD7166
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2010年08月06日
布图设计首次商业利用日
2010年11月02日

布图设计登记号:BS.115007504

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4993
布图设计名称
AD6649
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2010年12月20日
布图设计首次商业利用日
2011年03月11日

布图设计登记号:BS.115007512

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4994
布图设计名称
AD9269
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2009年11月10日
布图设计首次商业利用日
2010年02月04日

布图设计登记号:BS.115007520

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4995
布图设计名称
ADXL346DS
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2010年10月29日
布图设计首次商业利用日
2010年11月19日

布图设计登记号:BS.115007539

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4996
布图设计名称
AD8283
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
美国亚德诺半导体公司
布图设计权利人国籍/省市
美国
布图设计权利人地址
美国马萨诸塞州
布图设计创作人
美国亚德诺半导体公司
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
康建忠
布图设计创作完成日
2009年10月07日
布图设计首次商业利用日
2010年03月15日

布图设计登记号:BS.115007652

布图设计申请日
2011年08月09日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4997
布图设计名称
THD86EF59AC(THD86EF58C,THD86EF49AC,THD86EF48C,THD86E05C,THD86E04C,THD86E03C,THD86F09AC,THD86F08C)
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
北京同方微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
北京市海淀区知春路27号量子芯座11层
布图设计创作人
北京同方微电子有限公司
布图设计创作完成日
2011年02月27日

布图设计登记号:BS.115007660

布图设计申请日
2011年08月09日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4998
布图设计名称
THD20F06BD
布图设计类别
结构:MOS 技术:CMOS 功能:其他
布图设计权利人
北京同方微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
北京
布图设计权利人地址
北京市海淀区知春路27号量子芯座11层
布图设计创作人
北京同方微电子有限公司
布图设计创作完成日
2010年07月30日
布图设计首次商业利用日
2010年12月30日

布图设计登记号:BS.115007695

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
4999
布图设计名称
SDC277
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
浙江
布图设计权利人地址
浙江省绍兴市天姥路13路
布图设计创作人
绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计创作完成日
2010年09月06日

布图设计登记号:BS.115007709

布图设计申请日
2011年08月05日
公告日期
2011年12月7日
公告号
5000
布图设计名称
SDC602
布图设计类别
结构:Bipolar 技术:其他 功能:其他
布图设计权利人
绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计权利人国籍/省市
浙江
布图设计权利人地址
浙江省绍兴市天姥路13路
布图设计创作人
绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计创作完成日
2011年04月06日
本文《集成电路布图设计专有权公告(2011年12月7日)》发表链接: https://www.yingwu.net/news/4200.html
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